每經(jīng)記者 郭榮村    每經(jīng)實習(xí)記者 安宇飛    每經(jīng)編輯 陳俊杰    

9月14日，2021年中國閃存市場峰會（以下簡稱峰會）在深圳召開，大會由國內(nèi)存儲市場資訊平臺CFM閃存市場主辦。

CFM閃存市場總經(jīng)理邰煒表示，“因為疫情，過去20多個月以來我們的生活方式發(fā)生了很多的變化。在線上經(jīng)濟，包括遠(yuǎn)程辦公、網(wǎng)上教育等需求下，全球NAND Flash的總供應(yīng)量將在今年同比增長39%，DRAM將同比增長21%”。

在行業(yè)加速發(fā)展的背景下，中國半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)也在快速發(fā)展。在峰會上發(fā)布的《2021年全球存儲市場趨勢白皮書》（以下簡稱《白皮書》）顯示，中國半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)起步較晚，目前已突破1%的全球市場占有率，并在技術(shù)上縮小了與國際原廠的差距，實現(xiàn)了主流技術(shù)的量產(chǎn)。

存儲市場加速發(fā)展

存儲器，又稱為存儲芯片，是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型產(chǎn)業(yè)之一。

太平洋證券一份研報援引Gartner數(shù)據(jù)稱，2020年全球存儲器收入增加135億美元（相比2019年），占2020年整個半導(dǎo)體市場收入增長的44%。《白皮書》指出，存儲器約占整個半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值的27%。

據(jù)了解，目前存儲器主要分NAND Flash和DRAM兩種。其中NAND Flash又被稱為“閃存”，是一種非易失性存儲芯片，斷電不會丟失數(shù)據(jù)，具備讀寫功能，可以支持多次擦除和重復(fù)編程。而DRAM指的是動態(tài)隨機存取存儲器，速度比NAND Flash更快，但斷電會丟失數(shù)據(jù)，主要用于存儲短時間使用的程序。

而疫情的到來，給存儲器行業(yè)摁下了“加速鍵”?！栋灼分赋觯咔橄氯藗冝D(zhuǎn)向于居家辦公和網(wǎng)上學(xué)習(xí)等，增加了服務(wù)器以及PC需求，存儲器也成為2020年表現(xiàn)最好的領(lǐng)域。

簡單而言，辦公、教學(xué)等領(lǐng)域的線上轉(zhuǎn)型，以及AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的發(fā)展，使得全球數(shù)據(jù)量出現(xiàn)“爆炸性增長”。而很多數(shù)據(jù)都需要存儲，從而加速了存儲行業(yè)的發(fā)展。

全球半導(dǎo)體儲存龍頭企業(yè)之一美光科技有限公司（以下簡稱美光）的集團副總裁Dinesh Bahal在峰會上提到了“Decade in Days”（幾日即幾十年）。他認(rèn)為一場巨大的數(shù)字化轉(zhuǎn)型已經(jīng)發(fā)生，涵蓋了人們工作、學(xué)習(xí)、娛樂等各個方面，人們期待世界會在10年內(nèi)發(fā)生的（數(shù)字化）變革，甚至在數(shù)周內(nèi)就發(fā)生了。

盡管各領(lǐng)域在疫情下的“數(shù)字化轉(zhuǎn)型”帶動了存儲市場需求的增長，但在全球缺芯的局面下，存儲市場也出現(xiàn)了供需失衡。

邰煒表示，整體存儲市場已經(jīng)由供不應(yīng)求轉(zhuǎn)變成結(jié)構(gòu)性的供需失衡。由晶圓代工產(chǎn)能不足引發(fā)的缺芯浪潮逐漸蔓延到全產(chǎn)業(yè)鏈，目前最缺的PMIC（電源管理芯片）短期難以緩解，主控芯片供應(yīng)有所改善。缺貨引發(fā)囤貨，再加上手機上半年為搶市場提前擴容，PC、服務(wù)器的需求旺盛，使得存儲器出現(xiàn)漲價。

據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，今年前兩個季度存儲原廠（指存儲器的生產(chǎn)制造商）DRAM和NAND Flash價格快速上漲。從1月份到8月份，整個DRAM和NAND Flash的綜合價格指數(shù)分別上漲了18.4%和12.4%。

不過，邰煒認(rèn)為，四季度除了企業(yè)級SSD供應(yīng)依然緊張，其他各類產(chǎn)品的供應(yīng)都將快速增加，三季度很有可能是本輪價格的分水嶺。

根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)分析，從2020年到2025年，手機市場、PC市場、數(shù)據(jù)中心市場對存儲器的需求將分別以31%、22%、39%的復(fù)合增長率增長。

國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)仍在追趕

目前全球存儲市場的競爭格局如何？

華泰證券一份研報指出，根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年全球存儲器市場規(guī)模達(dá)到1245.4億美元,目前韓、美、日廠商幾乎壟斷全球存儲器市場，我國存儲芯片幾乎完全依靠進(jìn)口。但長江存儲、長鑫存儲技術(shù)有限公司(以下簡稱長鑫存儲)等存儲項目正穩(wěn)步推進(jìn)。

據(jù)CFM閃存市場統(tǒng)計，2020年全年三星NAND Flash的營收在全球各存儲原廠NAND Flash總營收中的占比高達(dá)33%，鎧俠占比19%，西部數(shù)據(jù)占15%，美光和SK海力士各占11%，英特爾占10%。DRAM方面呈“三足鼎立”格局，三星營收占比高達(dá)43%，SK海力士和美光分別占比29%和23%。雖然國內(nèi)的長江存儲和長鑫存儲起步較晚，但在2020年三季度紛紛突破1%的市場份額。

從市場需求來看，中國已成為全球存儲器最重要的需求市場之一。CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，在中國的DRAM和NAND Flash銷售規(guī)模占據(jù)全球30%以上市場份額。

而中國的存儲原廠正在技術(shù)層面加速追趕。據(jù)了解，NAND Flash在發(fā)展過程中逐漸由平面結(jié)構(gòu)升級為三維架構(gòu)，通過工藝技術(shù)的提升，可以逐漸增加存儲單元的層數(shù)，實現(xiàn)在單位面積下更高的存儲容量。

據(jù)英特爾NPSG亞太區(qū)銷售總監(jiān)倪錦峰介紹，英特爾的144層3D NAND已于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

《白皮書》指出，中國半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)起步較晚，且初期發(fā)展并不均衡，更偏向于封測、模組以及國外品牌代理銷售。長江存儲和長鑫存儲2016年成立，分別補上了中國在NAND Flash和DRAM市場核心供應(yīng)環(huán)節(jié)的空白。長江存儲128層3D NAND Flash、長鑫存儲DDR4/LPDDR4X等產(chǎn)品的量產(chǎn)，已經(jīng)縮小了與業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平的差距。

但《白皮書》同時表示，中國存儲原廠現(xiàn)有產(chǎn)能規(guī)模仍然較小，不足以支撐起龐大的市場需求。中國存儲發(fā)展仍然面臨難題，無論是技術(shù)還是產(chǎn)能都需要巨額的投資，但目前中國的存儲投資力度與國外廠商相比還有很大差距，如三星每年投入超200億美元。動輒百億級別的投資，僅依靠還在起步階段的企業(yè)自身造血遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。

封面圖片來源：攝圖網(wǎng)