每經(jīng)AI快訊，9月22日，湖北省政府發(fā)布關(guān)于印發(fā)加快“世界光谷”建設(shè)行動計劃的通知。計劃提出：搭建國際領(lǐng)先的硅光芯片創(chuàng)新平臺。支持武漢新芯、國家信息光電子創(chuàng)新中心、九峰山實驗室、江城實驗室等單位建設(shè)國內(nèi)首個12英寸商用硅光芯片創(chuàng)新平臺，構(gòu)建國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的硅光芯片供應(yīng)能力并實現(xiàn)硅光產(chǎn)品上量生產(chǎn)，同步加快硅基化合物異質(zhì)集成能力應(yīng)用，建立該領(lǐng)域世界領(lǐng)先的技術(shù)體系。2024年底前完成硅光工藝平臺通線和工藝設(shè)計套件（PDK）開發(fā)。到2025年，完成12英寸基礎(chǔ)硅光流片工藝開發(fā)，形成國際領(lǐng)先的硅光晶圓代工和生產(chǎn)制造能力。到2030年，打造12英寸硅基光電融合工藝線，建成全球前三的硅光芯片特色工藝線，器件性能達到國際領(lǐng)先，形成廣泛的光電子芯片加工能力。