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氮化鎵引領AI算力新基建,中國科技創(chuàng)新反超加速

源媒匯 2025-03-10 14:04:33

作者|胡青木

編輯|蘇淮

根據(jù)上交所及深交所的公告,近期在香港上市的第三代半導體企業(yè)英諾賽科,于2025年3月10日正式納入港股通生效。

作為全球氮化鎵功率半導體龍頭企業(yè),英諾賽科于2024年12月30日上市后,股價一路高歌猛進,迄今漲幅一度超110%,大幅跑贏恒生指數(shù),彰顯出其強勁的增長動力與市場潛力。

英諾賽科股價暴漲的背后,折射出全球資金對中國創(chuàng)新科技企業(yè)的青睞,與兩年前全球投資機構對港股市場的悲觀預期截然相反,全球資金對中國優(yōu)質科技資產正迎來重估時刻。

資本市場對中國企業(yè)投資態(tài)度的大幅度轉變,背后是中國科技企業(yè)近年來的創(chuàng)新實力和價值正迅速被市場認可。正如德意志銀行等外資機構觀點,AI、新能源等新興技術浪潮興起,不僅大幅擴展全球產業(yè)新的增長空間和應用邊界,也為中國科技企業(yè)帶來了彎道超車的機遇。

中國科技力量的創(chuàng)新反超

在2025年全球科技版圖上,中國企業(yè)的創(chuàng)新范式正引發(fā)深刻變革。今年1月,DeepSeek-R1大模型以7天破億用戶的“中國速度”震撼全球,通過強化學習數(shù)學優(yōu)化、混合專家模型與知識蒸餾技術,將算力需求壓縮至傳統(tǒng)路徑的1/5,實現(xiàn)“低成本高產出”的工程奇跡。

在第三代半導體這片曾被歐美壟斷三十年的戰(zhàn)場上,英諾賽科同樣書寫了一段“逆襲傳奇”。這家2017年成立的中國企業(yè),以8英寸硅基氮化鎵晶圓量產技術為支點,不僅撬動了全球功率半導體格局,更讓中國首次站上氮化鎵產業(yè)的制高點。

公司突破傳統(tǒng)思維禁錮,在全球首次推動8英寸晶圓大規(guī)模商業(yè)化;基于對全球功率半導體行業(yè)規(guī)律的深刻洞察,堅持IDM經(jīng)營模式,持續(xù)構建企業(yè)商業(yè)競爭“護城河”;發(fā)揮中國研發(fā)、制造人才優(yōu)勢,開展大量自主研發(fā);積極推進全球化布局,與全球供應商、客戶共建開放的氮化鎵應用生態(tài),在技術封鎖中撕開突破口:產品市占率躍居全球第一,晶圓良率遠遠超越同行,產品應用生態(tài)豐富。

德意志銀行將DeepSeek的崛起稱之為“中國的斯普特尼克時刻”,DeepSeek的開源算法革命、英諾賽科的氮化鎵突圍、宇樹科技的極智機器人集群,看似分屬不同賽道,實則共享著中國式創(chuàng)新的底層密碼——用系統(tǒng)級創(chuàng)新重構產業(yè)規(guī)則。三家企業(yè)都在證明唯有產業(yè)鏈自主可控,才能將技術突破轉化為產業(yè)領導力。

這些新銳中國企業(yè)的迅速崛起,體現(xiàn)的是中國式創(chuàng)新的生命力與競爭力,依托極具前瞻性的戰(zhàn)略發(fā)展思維、面向全球市場開放包容的經(jīng)營理念、對研發(fā)長期持續(xù)的專注投入、本土供應鏈優(yōu)勢等,不斷驅動他們從邊緣走向核心,從技術追隨者反超成為產業(yè)引領者,重塑全球科技競爭格局。

產業(yè)鏈自主可控

本土供應鏈的完善與發(fā)展能夠帶動上下游產業(yè)協(xié)同共進,創(chuàng)造大量就業(yè)崗位,促進技術創(chuàng)新與知識傳播,提升國家整體經(jīng)濟實力和競爭力。

IDM(垂直整合制造)模式因其全產業(yè)鏈布局的特性,需承擔高額的前期資本投入、產能爬坡周期長以及研發(fā)費用持續(xù)攀升的壓力。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,傳統(tǒng)IDM企業(yè)通常需要8-10年實現(xiàn)盈利。

相比之下,英諾賽科采用IDM經(jīng)營模式,從設計到制造再到應用,全產業(yè)鏈自主可控,使得英諾賽科具備強大的本土供應鏈整合能力,能夠快速響應全球市場變化和客戶需求,推動技術創(chuàng)新在整個產業(yè)鏈中的傳遞與應用。設計到制造產生深度協(xié)同效應,體現(xiàn)在應用端:8英寸晶圓單顆芯片成本較傳統(tǒng)6英寸方案降低30%;截至2024年6月30日,以折算氮化鎵分立器件計,產品累計出貨量超過8.5億顆,晶圓良率達到95%,超越同行。

英諾賽科產品覆蓋消費電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等高增長領域。2023年其下游市場如新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等需求爆發(fā)直接推動其收入三年增長7.7倍。公司借此通過優(yōu)化產線自動化率、提升8英寸晶圓利用率顯著攤薄制造成本。2024年上半年毛利率從-76.2%收窄至-21.6%,虧損同比縮減一半以上,展現(xiàn)出強于傳統(tǒng)IDM的財務韌性。

從英諾賽科的財務表現(xiàn)來看,該公司或許可以用較短的時間,就能走完半導體行業(yè)其他IDM企業(yè)通常需要數(shù)十年才走完的盈利之路。

此外,面對國際巨頭的競爭,英諾賽科憑借700多項專利及專利申請構筑技術護城河。根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù),2023年,以折算氮化鎵分立器件收入計,這種技術卡位策略使其在全球氮化鎵功率半導體市場斬獲超過1/3的份額,并成功反制國際巨頭的專利圍剿。

在此背景下,公司憑借自身的技術壁壘與國內外約140名客戶建立了合作,包括了領先的半導體制造服務商、專門從事可再生能源技術的高科技公司以及汽車OEM的一級供應商等。

英諾賽科的成功驗證了第三代半導體領域IDM模式的可行性。其核心在于將技術壁壘、需求紅利與資本效率三者動態(tài)匹配,打破了傳統(tǒng)IDM“重資產-長周期”的困局。隨著氮化鎵在高壓高功率場景的滲透率提升,公司有望在2026年前后實現(xiàn)盈虧平衡。

對于國內外機構而言,通過投資英諾賽科,有望在其國際化高速成長進程中收獲巨額紅利。而從長遠的產業(yè)發(fā)展視角來看,英諾賽科憑借在AI、電動汽車等領域的前瞻性布局與技術優(yōu)勢,正深度融入全球新興產業(yè)發(fā)展浪潮。

廣闊的產業(yè)應用前景

AI技術飛速發(fā)展,大規(guī)模機器學習訓練和實時推理應用,對算力要求極高,AI算力需求呈爆發(fā)式增長,數(shù)據(jù)中心能耗問題或將成為AI發(fā)展的核心瓶頸。

傳統(tǒng)功率半導體在高算力場景中能耗高、轉換效率低,氮化鎵功率半導體則憑借高頻、低導通電阻和低反向恢復損耗等優(yōu)勢,成為解決能源效率問題的關鍵。在數(shù)據(jù)中心電源裝置里,氮化鎵能降低能量損耗、提升轉換效率、減小器件尺寸,其服務器電源可以在提高輸出功率的同時,節(jié)省能源。

英諾賽科技術優(yōu)勢顯著,目前公司已與多家AI企業(yè)和數(shù)據(jù)中心運營商合作,產品應用份額不斷擴大。

在電動汽車領域,高壓平臺的普及推動了氮化鎵需求爆發(fā)。

全球電動汽車行業(yè)發(fā)展迅猛,且對續(xù)航、充電速度和車輛性能要求越來越高。氮化鎵芯片具有諸多突出優(yōu)勢,例如低寄生電容、低功率損耗、快速開關速度和高開關頻率,可以提高車載充電器的效率。采用氮化鎵芯片的車載雷達,具有更遠的測量范圍和卓越的分辨率。憑借優(yōu)異的開關特性和高頻能力,氮化鎵芯片造就了更小、更輕的電源轉換器,而且最大限度地減少與電感相關的損耗提高電源管理系統(tǒng)效率。

英諾賽科積極布局,與多家知名電動汽車制造商深度合作,開發(fā)的氮化鎵功率芯片產品已在部分車型應用,效果良好,未來有望在該領域實現(xiàn)更大突破。

人形機器人應用場景繁多,對機器人自由度與精細控制要求極高,單臺機器人中通常會部署大量伺服電機和控制系統(tǒng),氮化鎵芯片獨特的高功率密度和高頻特性,可以提升機器人伺服電機效率和響應速度,減少開關損耗,應用潛力巨大。

在家電市場,隨著消費者對智能化、節(jié)能化需求增加,以空調、電視、洗衣機為代表的家電產品,對氮化鎵芯片存在廣泛需求,采用氮化鎵芯片的空調,電機更小型化、輕量化,空調頻率轉換更絲滑,靜音效果突出,給消費者帶來更舒適體驗。

納入港股通后,隨著大量增量資金將涌入,將迅速提升英諾賽科的市場關注度和交易活躍度。短期內,資金的推動效應有望直接促使股價上漲,吸引更多投資者目光,在資本市場中掀起熱潮。

從中長期來看,這不僅有利于公司估值的優(yōu)化與穩(wěn)定,使其在資本市場的價值得到更合理的體現(xiàn);還能為公司在能源革命相關業(yè)務上提供堅實的資金保障,助力其在技術研發(fā)上持續(xù)深耕,不斷突破技術瓶頸,開發(fā)出更高效、更適配能源領域需求的氮化鎵產品。

同時,在產能擴張方面,充足的資金將支持英諾賽科擴大生產規(guī)模,持續(xù)迭代工藝,提升生產效率,從而在全球能源科技領域中樹立起新的行業(yè)標桿,引領行業(yè)發(fā)展潮流。

氮化鎵技術正成為AI服務器、機器人和電動汽車等前沿領域顛覆性變革的核心驅動力。隨著AI算力需求呈指數(shù)級增長,高密度電源系統(tǒng)對效率、散熱及響應速度的要求已遠超傳統(tǒng)硅基器件的極限。

英諾賽科的這種“成本優(yōu)勢+創(chuàng)新密度”的雙引擎,使其產品兼具高性能與高性價比,避免了光伏和碳化硅行業(yè)因同質化導致的低價內卷。公司在多領域的突破表明,氮化鎵技術已從“性能替代”升級為“系統(tǒng)重構”,其價值絕非僅靠市場規(guī)模(如2028年500億預測)衡量,而是成為智能化與低碳化轉型的“技術基座”。

未來,隨著技術的拓展,英諾賽科將持續(xù)引領氮化鎵從“器件替代”走向“系統(tǒng)級創(chuàng)新”,在超高壓汽車電驅、工業(yè)變頻器等萬億級市場開啟全新賽道,重新定義功率半導體的產業(yè)價值。

責編 蒲禎

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