每日經(jīng)濟新聞 2025-03-26 17:29:54
每經(jīng)AI快訊，3月26日，據(jù)中微公司官微消息，近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度，ICP雙反應臺刻蝕機Primo Twin-Star®又取得新的突破，反應臺之間的刻蝕精度已達到0.2A（亞埃級）。這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等于硅原子直徑2.5埃的十分之一，是人類頭發(fā)絲平均直徑100微米的500萬分之一。這是等離子體刻蝕技術領域的又一次創(chuàng)新突破。
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